发布时间:2025年10月12日 08:00 浏览量:
专利转让公示
日期:2025-10-12
根据《中华人民共和国促进科技成果转化法》等国家法律法规,现将如下科技成果(专利权)转让进行公示。公示期15天,自2025年10月12日至2025年10月26日。如有任何异议,请于公示期内向研究院实名反映。
联系方式:0577-85516099
专利号:ZL202011524321.3
发明名称:一种提高MOCVD外延薄膜质量的优化生长方法
专利简介:本发明公开一种用预沉积形核层提高MOCVD外延薄膜质量的优化生长方法。采用的技术方案包括以下制备方法:步骤1、将衬底或薄膜A放在MOCVD设备的反应腔中,在反应腔充满载气H2的状态下,通入含元素X的化合物作为X源,将温度、反应腔压力、沉积时间均设置在该气体化合物能够分解出X原子的参数范围内,在衬底或薄膜A的表面进行预沉积X原子层,此时X原子层吸附在衬底或者薄膜A上;该X原子层可在后续流程中与其他化合物反应生成薄膜B成分,或者与薄膜A直接形成薄膜B成分。
专利权人:温州大学激光与光电智能制造研究院;温州大学
专利授权日:2022.12.27
受让方:温州芯生代科技有限公司
转让/许可方式:专利权转让
拟交易价格及价格形成过程:经三方协商,转让价格拟定为伍万元。
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